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全新的IRGP47xx系列IGBT提供從15A到90A的電流范圍，并采用溝道纖薄晶圓技術降低導通損耗和開關損耗，以提升系統效率。這些產品可作為分立式器件或與軟恢復低Qrr二極管一起封裝，能夠為8KHz到30KHz的超高速開關作出優化，從而提供高達6猀萀短路額定值，以及有助于并聯的VCE(ON)正溫度系數。新器件具有較高的擊穿電壓，即便在極端天氣和交流線路不穩定的情況下也能提高可靠性，無需電壓抑制器件。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“全新650V IRGP47xx系列具有超高速開關頻率，以及低導通損耗和開關損耗，能夠為要求堅固可靠、高效且更小占位面積的應用提供具有成本效益的解決方案。”

IRGP47xx系列適用于廣泛的開關頻率范圍，在100°C下提供僅1.7V 的低VCE(ON)和低總開關損耗，可有效減少功耗。新產品以封裝器件供應，其它主要功能包括最高達175°C的工作結溫和低電磁干擾，有助于提升可靠性。