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使用緊湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403，是IR運用該公司最先進的COOLiRFET 40V溝道技術的全新器件系列的首款產品，具有3.3 mΩ超低導通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長管腳，管腳的端口通過電鍍進行焊接，從而可以確保有效的可焊性和易于檢查的焊點。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“AUIRFN8403比傳統的DPAK (TO-252) 封裝減少超過50%的占位面積，比SO-8封裝的熱性能顯著提高，為汽車應用提供了超緊湊的高效率、高密度、高性價比解決方案。”

所有IR車用MOSFET產品都遵循IR要求零缺陷的汽車質量理念，并經過了動態和靜態器件平均測試和100%自動晶圓級目視檢查。AEC-Q101標準要求器件在經過1,000次溫度循環測試后，導通電阻變化幅度不能超過20%。

新器件符合AEC-Q101標準，所采用的物料清單環保、不含鉛，并符合電子產品有害物質管制規定(RoHS)。