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IR提供了一個廣泛的IGBT產(chǎn)品系列，電壓范圍300V至1200V，采用可以將開關(guān)和導通損耗最小化的多種技術(shù)來提高效率、減少散熱問題并提高功率密度。公司還提供了廣泛的IGBT模塊，專門設計用于中高端的電源模塊。對于要求最高可靠性的模塊，可以采用焊前金屬（SFM）模塊，以省去繞線，進而允許雙面制冷，從而提高了散熱性能、可靠性和效率。IR提供的IGBT提供了多種封裝選擇，適用于最高達1200V的硬開關(guān)和軟開關(guān)設計

 

單獨IGBT

 

IR提供的IGBT提供了多種封裝選擇，適用于最高達1200V的硬開關(guān)和軟開關(guān)設計。

 

復合裝IGBT

 

IR在一個單獨的包裝中提供了高性能IGBT和反向并聯(lián)二極管。

 

IGBT芯片

 

IR為中高端模塊提供了IGBT芯片。